Aital, los transistors an tres parts, una sorça, una canalizacion e una valva. Lo corrent raja de la font a la canalizacion e es en tot moment contrarotlat per una valva que deissa passar mai o mens de voltatge.

Mas sembla que fins a uèi l’industria aviá pas pro valorat la possibilitat d’utilizar de valvas mai pichonas de mens de 5 nanomètres, un fach soslinhat per Sujay Desai, cap de la còla qu’a fach aquesta invencion. “E nosautres o avèm pogut far”, cò diguèt. E tot aquò pr’amor que l’industria aviá pas mesurat la possibilitat d’utilizar d’autres materials que lo silicòni.

“En tot cambiar lo silicòni per de disulfat de molibdèni (MoS2) avèm pogut far un transistor amb de valvas de solament un nanomètre d’espandi e lo far foncionar – çò diguèt Desai. Lo silicòni e lo disulfat de molibdèni an una estructura cristallina mas los electrons que passan per lo silicòni son mai leugièrs e an mens de resisténcia per rapòrt al disulfat de molibdèni. Jos 5 nanomètres dins una valva i a un fenomèn de mecanica quantica apelat activacion del tunèl e lo mur pòt pas mai arrestar los electrons dempuèi la font vèrs los terminals de canalizacion.

Electrons sens contraròtle

Aquò vòl dire que los electrons serián sens contraròtle e que lo transistor se poiriá pas atudar mas coma son mai pesants lo corrent pòt èsser melhor contrarotlat amb un espandi de la valva mai pichon.

De mai, lo disulfat de molibdèni pòt èsser reduch a la largor de fuèlhas de papièr de forma atomica (0,65 nm) amb un corrent electric constant e aquò ajuda a contrarotlar lo corrent dins lo transistor. Per lo bastir aquesta còla a agut d’utilizar nanotubes de carbon cilindrics amb de diamètres de solament un nanomètre.

A l’ora d’ara ja pensan d’ofrir aquesta nòva possibilitat a l’industria qu’aital se podriá evitar lo trabuc dels cables de 5 nanomètres per far de transistors.

La Redaccion